jpnn.com, YOKKAICHI - Toshiba Memory Corporation dan Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) merayakan pembukaan fasilitas fabrikasi semi konduktor canggih, Fab 6 dan Pusat R&D Memory yang beroperasi di Yokkaichi, Jepang.
President and CEO of Toshiba Memory Dr. Yasuo Naruke mengatakan, pihaknya bersemangat untuk memperluas untuk pasar 3D flash memory generasi terbarunya.
BACA JUGA: Main Gim di Genpro Z2 Serasa Nyata
"Fab 6 dan Pusat R&D Memory membuat kami bisa untuk menjaga posisi sebagai pemain terdepan pada pasar 3D flash memory. Kami percaya diri bahwa kerja sama kami dengan Western Digital akan memungkinkan kami untuk terus memproduksi memory tercanggih di Yokkaichi," ujar Naruke dalam keterangan resmi, Rabu (26/9).
Sementara Chief Executive Officer Western Digital Steve Milligan mengatakan, pihaknya sangat membuka Fab 6 dan Pusat R&D Memory dengan mitra berharga, yaitu Toshiba Memory. Hampir selama dua dekade, kolaborasi sukses antara Fab yang telah membantu perkembangan dan inovasi teknologi flash NAND.
BACA JUGA: Serpihan Sejarah Indonesia di 20 Tahun Google Doodle
“Kami memproduksi 3D NAND 96-layer ini untuk menjawab berbagai kesempatan pada semua segmen pasar, dari konsumen dan aplikasi mobile hingga pusat-pusat data cloud. Fab 6 adalah fasilitas canggih yang akan membuat kami bisa untuk lebih jauh lagi menjadi pemimpin dalam hal teknologi di industri," kata Steve.
Toshiba Memory memulai pembangunan Fab 6, sebuah fasilitas yang didedikasikan untuk membuat fabrikasi 3D flash memory, pada Februari 2017. Toshiba Memory dan Western Digital telah menginstalasi peralatan manufaktur untuk proses-proses produksi utama, termasuk deposition dan etching. Produksi massal dari 3D flash memory 96-layer yang memanfaatkan fasilitas fab baru ini telah dimulai sejak awal bulan ini.
BACA JUGA: 80 Jam Indonesia Tunjukkan Prototype Aplikasi IT Digital
Permintaan memory 3D flash terus berkembang bagi server-server enterprise, pusat-pusat data dan smartphone, dan diharapkan akan terus meluas ditahun-tahun mendatang. Investasi lebih lanjut untuk mengembangkan produksi memory tersebut akan dibuat sejalan dengan tren-tren pasar.
Pusat R&D Memory, terletak bersebelahan dengan Fab 6, mulai beroperasi pada Maret tahun ini yang akan terus bereksplorasi dan mendorong kemajuan-kemajuan dalam pengembangan 3D flash memory. (mg9/jpnn)
BACA ARTIKEL LAINNYA... Smartfren Gandeng Perpusnas Pecut Literasi Digital
Redaktur & Reporter : Dedi Sofian